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晶圆片键合和层间转移可以制备较复杂的结构
所属分类:显微镜百科 点击次数:145 发布日期:2022-06-20
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晶圆片键合和层间转移可以制备较复杂的结构 晶圆片键合和层间转移可以制备较复杂的结构。在流体器件中晶圆片堆叠可制备四周封闭的管道;在微机电系统(MEMS)中键合,可制备含有密封腔的谐振器件;键合可以将单晶硅附在非晶氧化物上,用于电绝缘。 这些基本工艺可以通过多次组合而实现器件制备,工艺复杂性常用光刻次数来表示:对于简单的P型金属氧化物半导体(P-Type Metal.Oxide Semiconductor,PMOS)晶体管只要进行6次光刻步骤;很多MEMS,太阳能电池和平板显示器件可以用2~6次光刻步骤来完成;2000年的0.18 tan互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)电路则需25次光刻步骤,而0.5。0.8 banCMOS工艺则需使用15块掩模版。如果将CMOS与其他功能结合,如双极型晶体管、集成显示器或传感器,需在CMOS工艺基础上增加6次光刻步骤。
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