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多晶薄膜可以通过热处理晶粒生长获得-金属加工
所属分类：显微镜百科 点击次数：184 发布日期：2022-06-20
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多晶薄膜可以通过热处理晶粒生长获得-金属加工材料类似基片，生长或沉积薄膜的形态可以是：·单晶·多晶·非晶 在工艺过程中，单晶薄膜通常保持其单晶状态，但可以通过离子轰击变为非晶态；多晶薄膜可以通过热处理晶粒生长获得；非晶态薄膜可以保持其非晶态，或晶化转变为多晶态，在很特殊的情况下可变为单晶态。 单元素基片和单元素薄膜(如硅、铝、铜和钨)较简单，它们具有广泛的应用。化合物引入了新的机遇和挑战：氧化硅、氮化硅、氧化铪、硅化钛、氮化钛和氮化铝(AIN)在沉积时不一定是理想配比，例如，氮化钛一般描述为TiN。，戈的值由薄膜沉积工艺决定。 另外，除了单元素和化合物材料，合金也被广泛应用，用龇．1％si或A1—0．5％Si．2％Cu替代单元素铝对金属化的稳定性更有利(参见第24章)。由不同大小原子组成的合金一般为非晶态薄膜，在一些应用中，它可以在退火过程中防止结晶并保持非晶状态。 薄膜沉积条件(例如杂质和工艺温度)会强烈影响薄膜的性能，在低温下沉积的硅为非晶态，在中等温度下为多晶态，在高温和严格的条件控制下为单晶态。微加工材料必须服从微图形化技术，例如刻蚀和抛光。有时薄膜需沉积在平坦的晶圆片上，但又经常需沉积在台阶和沟槽中，沟槽的深度可以是宽度的40倍，这些将在薄膜沉积工艺中进行详细描述。
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