古县光学元件微结构测量用工具显微镜厂商-老上光仪器厂

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所属分类：新闻资讯点击次数：3 发布日期：2026-04-19

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光学元件微结构测量用工具显微镜厂商

精微制造技术已广泛使用于消费型电子产品的光学元件中，其中V形长沟(V-groove)是常见的微结构，

如液晶平面显示器的导光板、光学膜片等。随着产品轻薄短小的趋势与性能的要求，V形微结构的尺寸越来越小，
甚至达到数微米到数十微米。如何快速且低成本的量测V

形特征的成形品质，一直是背光模组制造业者急欲解决的问题。

常用的量测仪器量测仪器可分为接触及非接触式，接触式量测仪器如表面轮廓仪

(Surface profilometer)，非接触式量测仪器有光学显微镜 (Optical microscope)、共轭焦3D光学

表面形貌量测仪 (3D Confocal microscope)、原子力显微镜 (Atomic force microscope, AFM)、

扫瞄电子显微镜 (Scanning electron microscope, 电子扫瞄显微镜)等。电子扫瞄显微镜可获得导光板的三维形貌及平面尺寸，

但在量测深度几何形状时必须破坏微结构，来拍摄断面轮廓，不适于导光板模仁的量测。

而对于不导电的试片如导光板需先电镀导电层，量测成本高。AFM可量测高深宽比的阵列式微结构，

配合Optical diffraction microscopy (ODM)量测光的折射强度，可以反函数的规则重建出微结构表面形貌。

但AFM适合奈米级的量测，垂直量测范围通常限于1μm左右，且造价较高，对于导光板微米级的V沟特征量测并不适合。

激光共轭焦扫瞄显微镜的垂直解析度可至20 nm，但在量测透光率较高的物件，会受表面粗糙度影响或有无法成像的现象，

对于角度较大的斜面也会有量测上的问题。

可扫描深度约90 μm的V型沟槽，但为了降低量测误差，镜头尺寸必须大于物件尺寸，因此所量测的物件尺寸便有限制

以三种不同的光学位移感测器量测深度约15 μm的V沟断面轮廓，但会受到表面反射所影响，对于V型沟槽而言，反射会使扫描的资料数据遗失，

尤其在V沟的，且物件表面性质可能造成光的扩散而影响量测结果

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