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古县集成电路的不同封装结构检测立体显微镜
所属分类：新闻资讯 点击次数：3 发布日期：2026-04-20
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集成电路的不同封装结构检测立体显微镜红外线热显像仪实测与CFD 软件模拟五种不同封装结构高功率LED 元件的接 面温度结果显示消耗功率为9.92W (350mA)时，A, B, C, D 及E Type 试样的接面温度 分别是84.32℃, 82.87℃, 81.91℃, 81.36℃与81.2????0℃，摆放间距最小的A Type 与更大的E Type，两者间的接面温度相差3.12℃，显示摆放间距小的A Type 无法快速地将 LED 晶片所产生的热传至空气中，因此具有更高的接面温度。当 GaN-base 晶片间距 从0.5 mm 增加至2.0 mm 时(间距相差4 倍)，晶片所产生的热能可以有效地的传导出 来。透过CFD 软件模拟得知，更改散热基板的材质、增加散热鳍片的厚度(表面积) 或是增大LED 晶片尺寸皆能有效地降低高功率LED 元件的接面温度以及热阻
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