卢龙测定半导体材料痕量杂质的各种方法中技术的应用分析
所属分类：新闻资讯 点击次数：6 发布日期：2026-04-20
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测定半导体材料痕量杂质的各种方法中技术的应用分析 象其他半导体材料一样，碳化硅中痕量杂质的极端灵敏分析方法的需要主要是发展超提纯法以及更好地了解杂质对材料电性的影响，关于发展灵敏而又方便的痕量分析法。 在用作测定半导体材料痕量杂质的各种方法中，对低浓度范围有实际价值的工具仅仅是中子活化分析，质谱和以射光谱，中子活化分析对于许多杂质元素是一种最灵敏的方法，已经很成功地用作分析超纯锗和硅，这种技术除了可以达到高的灵敏度以外，还有最重要的两个优点是在分析过程中可避免污染和在十分低的浓度范围内可以达到高的度，一般地说来，这种方法是最适用于0.001-1p.p.m浓度范围，虽然这种技术在过去有着不可估计的价值，但是由于有以下的三个局限性促使去发展高纯半导体材料的其他代替的分析方法。 、首先需要附近或有高热中子通如核反应堆可以使用，第二是在计数之前为了达到更大有效灵敏度需要以化学法分离每一种放射元素，若要测定已知样品中的许多杂质元素，则需要大量的放射化学分离，而分析的时间可能要一星期或更长一些，最后，象其他的分析技术一样，此法对于某些元素的测定是无效的，在中子活化分析法中，不利的核性质妨碍了以下元素的测定，锂、铍、硼、碳、氮、氧、镁、铝、钛、钡和铌，偏巧许多这些元素，由于它们对半导体材料电性质的显著影响，却是十分重要的。 质谱法在痕量分析中可以说是一种很有力的工具，但是很少应用于半导体分析中，首先是由于仪器的价格非常昂贵，因此，提出了其他许多更方便的方法。
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