泰兴材料固有的晶体结构特征分析便携金相显微镜
所属分类：新闻资讯 点击次数：8 发布日期：2026-04-20
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材料固有的晶体结构特征分析便携金相显微镜层生长型 这种生长类型的特点是：蒸发原子首先在冷凝表面上以单原子层的形式均匀地覆盖一层，然后再在三维方向生长第二层、第三层……这种生长方式多数发生在冷凝原子与蒸发原子问的结合能接近于蒸发原子间的结合能的情况下。最典型的例子则是同质外延生长及分子束外延。 层状生长的过程大致如下：入射到冷凝表面上的原子，经过表面扩散并与其他原子碰撞后形成二维的核，二维核捕捉周围的吸附原子便生成为二维小岛。这类材料在表面上形成的小岛浓度大体是饱和浓度，即小岛间的距离大体上等于吸附原子平均扩散距离。在小岛生长过程中，小岛的半径均小于平均扩散距离，因此，到达小岛上的吸附原子在小岛扩散以后都被小岛的边缘所捕获。在小岛表面上吸附原子浓度很低，不容易在三维方向上生长。也就是说，只有在第n层小岛已长到足够大，甚至小岛已相互结合，第n层已接近安全形成时，第n+1层的二维晶核或二维小岛才有可能形成，因而结晶是以层状的形式生长的。 层状生长时，靠近基体的结晶其晶状结构通常类似于基体的结构，只有到一定厚度时才过渡到该材料固有的晶体结构。 (3)层核生长型 在冷凝面和薄膜原子相互作用特别强的情况下，才容易出现层核生长型。首先在冷凝表面上长1～2层单原子层，这种二维结构强烈地受到冷凝品格的影响，晶格常数有较大的畸变。然后再在这原子层上吸附入射原子，并以核生长的方式生成小岛，最终形成结晶。在半导体表面上形成金属薄膜时，常常属于这种类型。
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