微电子器件的成品率-电子器件将是多层结构
所属分类：新闻资讯 点击次数：13 发布日期：2026-04-20
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微电子器件的成品率-电子器件将是多层结构 像硅这样的半导体在低温淀积条件下由于抑制了表面迁移而形成非晶层．晶态固体具有长程原子有序排列，反之非晶固体仅有短程有序(相当于最近邻原子间的距离)．在非晶硅中，共价键键长是一定的，因此最近邻原子间的距离保持不变．然而键角发生畸变并导致第二近邻原子间距离明显地不确定．层状结构 未来的电子器件将是多层结构的，必定是在高真空系统中制造的．高密度集成电路的横向尺寸将下降到0．1微米(100nm)．生长过程的精度至少要控制到上述尺寸的1／10乃至1／100．控制的尺度相当于几个晶格常数． 如果薄膜和衬底的表面能不同，薄膜中的原子可以互相择优键合而不是与衬底原子键合．这就导致薄膜原子在衬底上形成原子团．当然对于电子器件而言原子成团不是所期望的薄膜生长模式．由于原子成团要求原子横向迁移，故能够从降低薄膜淀积温度来抑制它的生成． 应力能够引起微电子器件的成品率和可靠性问题．应力可以被认为是亚稳态条件；在应力弛豫时，受到外加的应力或热应力作用的互连导线会发生结构和形貌的变化．通过原子的输运和空洞的形成，金属线内的原子重新排列使应力得到弛豫．原子的输运导致金属线内小丘的形成，它能穿破绝缘层引起短路，反之空洞将导致金属线的电阻增大，甚至可以引起互连线开路．本书的最后两章将介绍由于电迁移和应力在薄膜中发生的形貌变化．
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