陶瓷中的晶界偏析、相变、老化、断裂检测显微镜
所属分类：新闻资讯 点击次数：8 发布日期：2026-04-20
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陶瓷中的晶界偏析、相变、老化、断裂检测显微镜陶瓷中的晶界现象较为复杂，可以归纳如下： (1)陶瓷中常存在晶界偏析，偏析量可以比晶粒内大100～1000倍，调节偏析，可以改进材料性能或开发新材料； (2)晶界区的无序及开放结构和可能存在的液相，使晶界区内的物质扩散大于晶粒内扩散。晶界在烧结过程中对物料传输的作用，犹如道路在交通中的作用，对于鼢材料，氧易于在扩散中移去，因此通氧烧结，用于高致密烧成工艺。利用偏析和扩散，可设计透明瓷(如刚玉瓷、氧化钇瓷、PLZT等)的烧结工艺； (3)个别的晶界，其连贯性或相干性有差异，利用外电场处理，可以改变其相干程度，从而改变陶瓷的性质； (4)晶界的易氧化及形成势垒，以及势垒和铁电自发极化的互作用，形成PTC效应，发展了有用的自控发热体材料和过流保护材料； (5)陶瓷常常经烧结冷却，冷却使晶界处于应力状态，不对称晶系会形成张或压应力晶界，晶界应力及晶粒晶界间的性能差别(如e、空位浓度、电导、应力状态)常常是材料性能老化的根源； (6)晶界区的无序及自由空间，使它具有黏弹性性质，晶界区可容纳应力应变，晶界区不但表现为空位的“源”和“壑”，也是应力应变收容所，晶界的高能量性质，使它常常是成核或畴的源发地，它影响材料中所发生的许多与能量有关的过程(如扩散、偏析、相变、成畴、老化、断裂等)； (7)晶界常常起俘获中心的作用，是空间电荷积累的场所，外电场施加时，垂直及平行于电场的晶界，常有不同性质，甚至晶界的一侧和另一侧．
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