TEM电子显微镜应用于金属晶体结构微结构分析
所属分类：新闻资讯 点击次数：10 发布日期：2026-04-20
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TEM电子显微镜应用于金属晶体结构微结构分析微结构分析(Microstructure analysis)- TEM由前面晶体结构以及磁性质的分析，发现更佳的(001)优选方位及垂直磁异性是发生在退火温度 800℃系列样品中，膜厚 30 nm 的 FePt 薄膜；另外发现在这个退火系列中有一临界膜厚，就是在膜厚 40 nm 以下，即小于 40 nm 跟大于 40 nm 时，FePt薄膜在同一退火温度下，它竟然会产生结晶方位上及磁性质上完全不一样的不连续变化，此一临界厚度，就是我们想要研究的对象，它非常有趣，也从来没被报导过，所以挑选这个退火系列膜厚20、30、40及50 nm的样品，进行穿透式电子显微镜(TEM)的研究。膜厚 20 nm 样品的 TEM 影像图，它的晶粒尺寸大小很不均匀，大的晶粒尺寸超过 100 nm(约达 200 nm)，小的晶粒尺寸低于 20 nm，样品膜厚增至 30nm 时，晶粒尺寸变得很大，更大的超过 1μm，在影像图中发现很多线条，推测可能是平面缺陷，也可能是一些边界或结构上的缺陷，很难断定哪一个地方是晶界，只清楚的看到它的晶粒很大，这点可从后面的磁区结构的分析获得印证。到了膜厚 40 nm 时，检视图中的晶粒尺寸，发现它变得很小，甚至比膜厚 20 nm 样品晶粒的尺寸还小，这点很特别，事实上，仔细观察膜厚 40 nm 的TEM 影像图，发现到它的晶粒横向尺寸快要小于纵向尺寸。膜厚增至 50 nm 时，TEM 影像图，发现晶粒尺寸突然变得很平均，即晶粒的纵向尺寸大约等于其横向尺寸，约 50 nm
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