诏安氧化铝金属分析及显微硬度量测仪器-单晶硅检测
所属分类：新闻资讯 点击次数：10 发布日期：2026-04-20
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氧化铝金属分析仪器-单晶硅检测显微镜价格利用凯氏长晶法(Kyropoulos method)来生长氧化铝单晶，探讨部分机械性质。起始原料用wt.75%块料及25wt.%粉料加入钨钼坩锅，加热至2100℃后以15mV/hr.的降电压速率生长氧化铝单晶。本研究分为两部分：部分以固定负载与正弦函数震盪方式施加负载的奈米压痕试验，对氧化铝单晶不同平面进行杨氏模数与硬度之量测。第二部分为水中窝蚀试验与空气中之喷砂冲蚀试验。实验之试片以电子显微镜观察显微组织及瞭解损伤程度。结果显示，氧化铝单晶值杨氏模数介于260GPa～210GPa之间，仅为一般使用值的70%，硬度介于30GPa～20GPa之间符合需求。残留奈米压痕附近并没有明显隆起，压痕潜变应力指数为0.5，低于一般传统拉伸潜变值。窝蚀试验亦发现氧化铝单晶潜伏期长达10小时，10小时至16小时为加速期，直到32小时的冲蚀才达到重量损失速率更大值。比较SiC#120与SiC#280两者对氧化铝单晶之冲蚀率，较大的冲蚀材有较大的冲蚀率，及较硬冲蚀材比较软冲蚀材造成更严重之损伤
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