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诏安金属、陶瓷、元件等材料显微结构尺寸测量
所属分类：新闻资讯 点击次数：6 发布日期：2026-04-20
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金属、陶瓷、元件等材料显微结构尺寸测量近年来对金属、陶瓷、半导体元件等材料之研究，可发现这些材料之薄膜特性，会受到其表面或界面晶体结构的影响甚大。在薄膜材料的性质上，系受到制程、显微结构、结晶方向、厚度、杂质以及界面等因素影响，即使相同成份，所得到的性质也会有些差异。为了探讨材料晶向结构，以及其薄膜内应力分析，以得知金属薄膜之特性，在本次实验中，将使用 X 光绕射仪量测晶向结构以以及 3D 表面轮廓仪来量测薄膜的内应力。薄膜制作使用硅晶圆(Silicon wafer)为P-type (100)的芯片，硅芯片经过化学机械单面抛光，其电阻率介于5~10 Ω-cm，直径为99.5 mm~100.5 mm，厚度则为500~550 μm。将硅晶圆切割成2 cm × 2cm
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