半导体价带顶和导带底的具体数值怎么确定或查到这些数值?

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显微镜百科

所属分类：显微镜百科点击次数：3900 发布日期：2022-05-08

大家好，这里是老上光显微镜知识课堂，在这里你可以学到所有关于显微镜知识，好的，请看下面文章：

本人看到的都是半导体价带顶和导带底的相对大小（以半导体能带分布图的形式出现），有没有确定具体的数值大小啊。或者在哪里能够查到？

Nanoscale, 2011, 3, 446–489
这篇综述里总结了一些

个人观点：
通过测量XPS、UPS价带谱可以得到价带顶位置，以及费米能级位置，由禁带宽度可以算出导带底位置
或者用电化学肖特基图谱可以得出平能带电位，计算出导带底位置

半导体材料电子结构稍微有些改变，数据都不同，如某薄膜禁带宽度理论上是3.2eV，但是实际测量中很可能就是3.0、3.1，你可以去查查相关文献，导带底位置的确定有很多电化学之类的文献都应该会有，祝好！

个人观点，半导体材料电子结构稍微有些改变，数据都不同，如某薄膜禁带宽度理论上是3.2eV，但是实际测量中很可能就是3.0、3.1，你可以去查查相关文献，导带底位置的确定有很多电化学之类的文献都应该会有，祝好！

谢谢了，就是这样的数据，请问这些数据是从哪里查到的。

你需要哪种薄膜的禁带宽度，就去搜哪种薄膜的文献，相关文献肯定特别多，多动动手，祝好！

上官天夜

你好请问如何由XPS或者UPS得到费米能级的位置啊，老板让找费米能级的测定方法，苦苦搜索，至今无果，望赐教（Zui好能有文献参照学习），谢谢···

价带谱以0为费米能级，由电化学工作站的肖特基（M-S）曲线可以计算出平能带电位，平能带可以计算出价带顶（这两值基本相等，差0.1-0.2eV左右）的位置，由测量出的禁带宽度可以计算出导带底位置，这样不是所有的相当位置都出来了。
至于具体文献毕业了不记得了。

非常感谢你的指点，你所说的平带电位是否可以直接认为是价带顶呢，还是需要由公式来推算？谢谢你了。

貌似这个图给的是禁带宽度哦！

数据里全是氧化物和硫化物半导体的数据，那请问其他半导体的数据在哪里可以找到呢，比如氮化物，GaAs等？

查文献吧，测得了带隙值，其价带顶和导带底的数值是可以计算的，有公式

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