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低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器
所属分类：显微镜百科 点击次数：383 发布日期：2022-05-22
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本发明涉及半导体核辐射探测器使用的光电二极管和一级前置放大器的场效应管。现有的核辐射探测器使用的光电二极管和场效应管为两个部件，固定在同一基板上，彼此连接采用金丝点焊。由于金丝有大约10mm长，其分布电容大约在0.2pf左右。
本发明将光电二极管和场效应管光刻在同一片硅片上，这样场效应管栅极和光电二极管之间几乎是直接相连，大大降低分布电容，其分布电容大约在0.01~0.02pf。因此该系统因分布电容产生的噪声远小于现有的核辐射探测器。 网站网友点击量更高的文献目录排行榜： 点此链接 关注页面底部公众号，开通以下权限： 一、获得问题咨询权限。 二、获得工程师维修技术指导。 三、获得软件工程师在线指导 toupview,imageview,OLD-SG等软件技术支持。 四、请使用微信扫描首页底部官主账号！
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