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生氧化硅、孔隙度石英颗粒分析显微镜
所属分类：显微镜百科 点击次数：166 发布日期：2022-06-20
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生氧化硅、孔隙度石英颗粒分析显微镜 氧化硅的来源，控制沉淀作用的物理化学条件，以及氧化硅胶结性与压溶之间的关系等都直接受到注意(据伊里兰德，Ireland， 1959) 。 毫无疑问，氧化硅胶结物可从溶液中沉淀出来。溶液中的氧化硅来自放射虫、硅藻壳和硅质海绵骨针等有机碎屑。同样，有些富硅溶液必定是从压实粘土中排出的。人工培植氧化硅晶簇，曾做过大量成功的试验。在高温高压-F即可获得晶簇(据赫尔德和伦顿， Heald and Renton， 1966； 帕拉挂苏， Paraguassu，1972)，在常温常压下也可获得(据马肯兹和吉斯，Mackenzieand Gees， 1971)， 研究次生氧化硅、孔隙度和埋藏深度之间的关系无疑要与压溶或压熔(Pressure welding)现象结合起来。许多薄片显示，石英颗粒彼此紧挤，次生氧化硅则在邻近颗粒间接触点处沉淀。许多研究工作者根据这些观察都认为，当砂被压缩时，颗粒接触处的氧化硅被溶解并瞬即再沉淀。最近里坦霍斯(Rittenhouse，1971)对孔隙度减少作了定量分析。这个分析把压溶与颗粒形态和填积结合起来。 泰勒(Taylor，1950)认为，随着埋藏深度的增加，每个颗粒接触邻近颗粒的数量，可从接近地表处的1、 2个增加到深处的5个或5个以上。同时，他还说明颗粒的接触性质随埋藏深度的增加而变化。在浅部，岩石的颗粒接触关系普遍为颗粒相切或点状接触；向下渐变为长形状接触，颗粒边缘并排地贴在一起；再往深处，颗粒变为凹凸相接，该处压溶作用强烈，接触边缘普遍缝合。上述颗粒接触在数量和性质上的变化，是和孔隙度的逐渐降低相伴随的
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