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大多数聚合物电介质焊接分析质量检测显微镜
所属分类:显微镜百科 点击次数:119 发布日期:2022-06-20
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大多数聚合物电介质焊接分析质量检测显微镜 频率特性——聚合物电介质通常在电特性上表现出频率依赖特性。举例来说,许多聚合物由于分散效应,在高频率下介电常数有很大的衰减。因此介 園电性能必须和应用所需频率相匹配。 界面特性——电介质的界面对于设备的性能有很大的影响。在电介质半导体界面的高陷阱密度会造成设备性能的显著下降。另外,界面可能改变其自身的形貌以及填充结构(例如,在底栅型结构中,半导体沉积在电介质上面。因此,由于电介质会对半导体初始几层的结构产生模板效应,电介质对半导体堆积具有很强的影响)。 相对介电常数——通常来说,大多数聚合物电介质的相对介电常数在2.5到4之间。最近的研究表明使用低介电常数的材料对于有机晶体管实现高电子迁移率具有较好的效果,但是这种关系在其普遍性上仍有一些分歧。使用低介电常数材料的一个缺点是需要使用十分薄的电介质层,使栅和沟道材料达到更佳的耦合作用。由于在印刷过程达到这一要求很困难,这就会在印刷晶体管中引发工作电压降低的问题。 高k介质 如上所述,大部分聚合物电介质的相对介电常数范围在2.5到4。为了获得低操作电压,需要提高栅和沟道材料间的耦合作用。增加耦合作用的简单方法是增加半导体的介电常数(值得注意的是,近几年的数据表明半导体直接接触高k介质会降低有机半导体的电子迁移率;然而,假如在半导体和电介质问使用低k界面层,就有可能使用高k介质材料促进耦合作用。然而这个问题依旧饱受争论)。用于促进介电常数的一些技术在文献中已有报道。包括: 園 使用高k纳米颗粒——类似于之前讨论的纳米颗粒导体,使用纳米颗粒印刷高k介质是可实现的。迄今为止,制作这样的低泄漏的薄膜是很困难的,冈为在这种薄膜会趋于形成类似于空隙、裂缝等大量的缺陷。
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