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不同于普通烧结微波烧结的陶瓷分析
所属分类：显微镜百科 点击次数：623 发布日期：2022-06-20
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不同于普通烧结微波烧结的陶瓷分析进烧结过程中的离子扩散，不会引起晶粒异常生长。微波烧结温度比一般烧结温度低150-200"C。一般烧结1300℃保温30 rain，烧结瓷的晶粒尺寸约10,um，微波烧结为11001=，10 rain，烧结瓷的晶粒尺寸为5 pm。日本宇部公司治田．踟j指出：普通烧结费时较长，如8～10 h，且升降温速率也较慢，为晶粒生长及晶界偏析提供了条件。在普通电炉烧结中，要避免晶界偏析，几乎不可能，而微波烧结可迅速升温，如1800--7000℃／h，晶粒生长受限制，限制杂质元素在晶界偏析，很大程度地改变了晶界性质。他采用掺Nb—BaTi()3瓷、6GHz微波、升降温度速率为20℃／rain、保温5 rain、总烧结时间1．5 h。普通烧结晶界有铌的偏析，微波烧结中晶界不但无偏析，且缺铌，普通烧结中要获得半导，掺铌量应为0．1％～0．5％(原子分数)，而微波烧结中用0．1％-0．8％(原子分数)均可获半导瓷，且晶粒仅为1～3”m。普通烧结中晶粒达20／．tm。归纳看来微波烧结有几方面优点：(1)半导掺杂用量明显较宽，有利于制备低阻瓷；(2)能降低烧结温度，避免晶粒异常生长，有利于提高耐电压；(3)缩短烧结时间，从8～10 h减为0．5～1．5h；(4)有利于减少铅挥发。微波烧结的陶瓷，其性能变化的规律性，不同于普通烧结。微波烧结已显示一定优越性，但用于工业化生产，尚需进行更多的工作。
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