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硅基上印制图样光刻设备的精度分析显微镜
所属分类：显微镜百科 点击次数：203 发布日期：2022-06-20
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硅基上印制图样光刻设备的精度分析显微镜 现代CM0S制程使用的几何尺寸明显小于用于在硅基上印制图样的光刻设备的精度。亚波长光刻会打破缺陷电路引发的平衡。 引发电路失效的缺陷主要有两类。一类是由于可见的物理缺陷，它会改变硅基上电路的结构并引起诸如互连开路、过孔缺失、晶体管短路等类型的违规。这些类别的缺陷是任意随机的，在早期的cM0s中是很普遍的类型。艏祝性缺陷这一术语通常指代这种类型的缺陷，但有点用词不当，因为随机效应也能影响另一个主要类型的缺陷，也就是参数性缺陷。参数性失效是由于晶体管特性、互连线和过孔中的电气变化所引起的。与物理缺陷不同，这一变化是不可见的，并且大多数都划归为系统性缺陷类别。在过孔、光刻聚焦或失调、铜凹陷以及金属宽度／厚度变化中，这类例子尤为明显。 虽然许多参数性缺陷都是系统性的，但实际上更多的是随机性的。之前已经给出了一个例子，也就是随机掺杂波动。其他的例子包括线边沿和线宽粗糙，栅介质、氧化层厚度以及固定参数的改变。本质上，所有的这些都是由物理原因引起的，但电路上产生的效应都是参数性变化。这些参数性变化结果会提高电路失效的风险。不同的物理机制下的变化效应。需要注意的是绝大部分的变化效应会对延迟造成影响。虽然其中一些并不会导致电路失效，然而更多的都会导致，这意味着固态延迟测试方案势在必行。
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