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晶片表面微细结构试件样品分析显微镜
所属分类：显微镜百科 点击次数：192 发布日期：2022-06-20
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晶片表面微细结构试件样品分析显微镜 可以用泵来吸走和清除。在过去的几年中，CVD方法实际上已替代了半导体技术中的蒸发技术。用CVD方法可以生产所有集成电路需要的涂层，单晶体的生长也可以用外延法在CVD工艺中实现(这一点将在下一段中介绍)。单晶硅层也可以由多晶硅制造(就像标准的CVD生产技术)。单晶硅层的制造在有一个“内层”的外延和一个籽晶存在的情况下，加热薄膜即可。 外延 在正常压力和低压的情况下，来自气相的外延是单晶硅薄膜生长的标准方法。在气相条件下，的外延温度控制在涂层质量方面起着重要作用，它不仅维持和控制硅片的温度为1050—1150℃，而且使跨过整个硅片的温度差变得最小。在低压状态下，当加热硅片时，对流的影响较小，热传导(通过整个表面的直接接触)和辐射起主要作用。在真空中，基体的均匀加热是一个问题，这是因为晶片既不能由一个真空夹头固定，也不能机械地夹到加热器上，并且不能造成晶片表面微细结构的损伤。对热接触，需要的是更大可能的表面积。在高温下，晶片中的应力会得到缓解，但可能导致附加的变形和接下来的表面上热的不均匀性
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