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最厚的CCD则拥有200μm～300μm的厚度
所属分类：显微镜百科 点击次数：201 发布日期：2022-06-20
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由于前照式CCD是经由前方的多晶矽闸极受光，不可避免地，将有一部分的入射光会在此损失。因此，对前照式CCD而言，在可见光波段只能提供约50%的量子效率。另一方面，入射光却是直接进入背照式CCD的矽基板，在此无阻碍的情况下，将显着地提昇背照式CCD在可见光波段的量子效率，甚至在某些波段范围内可达到90%以上的量子效率。在下图1.7中将可见各自量子效率的表现但令人可惜的是，即使是背照式CCD，在靠近较长波长约900nm及更红波段处，对由矽为所组成材料的CCD而言，都将渐渐地如同透明般被直接穿透，因而，红外波段的量子效率将大大地衰减至10%以下。并且在此波长较长的波段范围，将会由于干涉效应的干扰产生条纹图案(fringe pattern)的问题，此一影响将对测光分析的精準性带来重大差异。在图1.8中将可看见，在波长增长的情况下，条纹图案的干扰也越明显严重如今在半导体制成技术与时渐进日益成熟的提升下，终于成功开发新一代CCD。所以更进一步地，背照式CCD又可依矽基板的厚度将之分成传统的薄型CCD、深空乏层型(Deep Depletion)CCD及全空乏层型(Fully Depleted)CCD。薄型CCD主要厚度介在15μm～20μm之间。深空乏层型CCD的厚度约为40μm～80μm。而最厚的全空乏型CCD则拥有200μm～300μm的厚度。在增加矽基板厚度的条件下，意味着光子行走的路径也将增长，进而提高了近红外光在矽中被吸收的机率。因此，在针对背照式CCD厚度的改良下，在近红外波段的量子效率将大幅地提昇。在图1.7中也可见，深空乏层型CCD在波长较长的波段范围中的量子效率有极明显的提升。更甚之，在近红外波长约1000 nm处，对照此波段下传统薄型CCD与全空乏型CCD的量子效率，甚至达到数倍的差异。另一方面，也由于矽基板厚度的增加，对深空乏层型CCD及全空乏型CCD来说，在近红外长波长波段将改善或消除由干涉效应所带来的条纹图案之影响
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