诏安器件尺寸小于光学分辨率就需要使用电子显微镜
所属分类:新闻资讯 点击次数:5 发布日期:2026-04-20
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器件尺寸小于光学分辨率就需要使用电子显微镜 光刻或光掩蔽是采用通常称力“光刻胶”的感光材料,涂覆在二氧化硅或铝金属化表面薄层上,开出尺寸窗口的工艺。其操作步骤是,将光刻胶涂覆在硅片表面+然后通过一块精密的照相掩模版对光刻胶进行曝光,显影光刻胶中的图形,最后腐蚀二氧化硅以开出窗口。最近有的厂家采用改装的扫描电子显微镜,由计算机控制电子束对“电子光刻胶”进行曝光。X射线亦可用来曝光光刻胶。采用这两种技术制造出来的器件尺寸小于光学分辨率的极限。 扩散是在暴露于外表的硅中而不是在覆盖的氧化层中进行的。当用于淀积的金属层时,不需要的区域被去除,仅留下电路“连线”用的互连图形。金属化工艺中通常使用的是铝。 因为制造典型的双极型集成电路通常需要完成埋层扩散、隔离扩散,基区与电阻器扩散、发射区扩散、连接电路元件的接触窗口(预欧姆)、互连图形和钝化层中的接触压点窗口这几个操作步骤,所以,制造完整的电路显然至少需要七次光刻。由于电路所占的面积很小(0.040至0.300平方英寸),V话且元件尺寸的容差是以万分之一英寸(0.0001英寸=2.5微米)来计算的,故每次光刻的掩模必须地套准硅片上的图形。此外,光刻工艺中的每一步都必须仔细地进行,以保持所需的尺寸控制。
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