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位错结构以及沉淀物合金热加工分析显微镜
所属分类：显微镜百科 点击次数：153 发布日期：2022-06-20
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位错结构以及沉淀物合金热加工分析显微镜 位错的移动一般取决于合金化学性质、温度和位错的类型。较低温度下，普通位错的滑移阻力由品格摩擦、缓慢牵引和局部障碍(Appel和Wag-ner，1998)引起。该滑移阻力随着温度的升高而降低并在250℃消失。在250℃～400℃的中等温度下， 平面内仅有一个双晶剪切方向。因为双晶剪切的不定向性，特定方向范围内的颗粒不能从机械上进行双品化。确凿的证据显示，界面边界处的位错结构以及沉淀物处的应力集中是促进双晶成核的重要因素。 变形性能也有显著的影响。由滑移和双生引起的层片边界处的剪切平移是非常网难的，而由多种变形模态综合运作产生的塑性应变可以被局限在层状边界的范围内。这些情况加上平板的平面外形，导致了片层材料较强的塑性各向异性。片层平面内发生变形时其屈服和断裂应力都较低[软模式(soft mode)]，而当变形穿过片层时却较高[硬模式(hard mode)]。拉伸轴紧靠片层平面时的韧性较高，而在轴几乎垂直于片层平面时却较低。 因此，在多晶材料中，特定的颗粒取向会导致变形变得困难。局部塑性和南周围弹性体引起的约束会催生裂纹，即使此时的名义载荷很低。大体来说，这些因素限制了低温以及室温下的塑性变形和损伤容量。例如，室温下TiAl合金的塑形拉伸伸长率很少能超过2. 5%。
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