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氧化膜生长和微动碎屑细致的表面分析显微镜
所属分类：显微镜百科 点击次数：154 发布日期：2022-06-20
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氧化膜生长和微动碎屑细致的表面分析显微镜 微动情况下电接触的研究结果表明，接触电阻劣化的方式与接触闭合状态下发生氧化作用的方式相同。的区别是后者的变量是时间，而前者的变量是微动周期数。 对微动后的接触区域进行了细致的表面分析，结果表明接触劣化的原因是接触区域氧化膜的生长和微动碎屑。在闭合接触时，表面氧化物的生长是造成接触劣化的主要机理。已经证明微动加速了触点的劣化。因此，将闭合接触时的氧化一驱动接触劣化的机理推广到微动条件下的接触是有道理的。由于两种情况下(闭合接触有或没有微动)的劣化机理相同，即氧化剂扩散到接触间隙，所以这一假设是合理的。 触点的氧化作用可看作类似于金属中沿晶界的氧化作用的过程。众所周知，由于氧化剂离子沿晶界的扩散更密集充分，所以与金属基体中的氧化作用相比，沿晶界的氧化作用发生得更快，蔓延得更深。需要指出的是，金属的氧化是金属离子通过氧化物扩散至表面的结果 相似和极其不相似金属的接触面，晶界都是有利于离子迁移的位置。因此有理由假设，接触区域内氧化剂的扩散是触点的氧化机理之一。也就是说，触点内形成的氧化膜的厚度与氧化物的浓度C成正比。
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