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金属氧化物半导体(CMOS)质量检测显微镜
所属分类:显微镜百科 点击次数:188 发布日期:2022-06-20
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金属氧化物半导体(CMOS)质量检测显微镜试质量指标的详细分析。不仅对现有指标的不同用途进行了探索(产品质量对比测试质量),而且提出了一种新的指标。新指标的基本假设就是测试质量应该随着测试模式集而变化,并且与实际覆盖率和可能检测到的小延迟缺陷的尺寸具有更好的相关性。 在未来的研究挑战中,与小延迟缺陷相关的失效的有效诊断和物理失效分析(PFA)是理解这些缺陷的行为和产生源头的关键所在。注意到过渡故障的诊断/PFA是冗长乏味的并在先进的工艺节点中逐渐成为挑战,小延迟缺陷的诊断/PFA是很艰巨的。就未来而言,随着技术水平革新到20nm以下以及像使用Fin—Fet的特殊的电路结构,可能需要对小延迟缺陷具有清晰和一贯的了解。相比于基体互补金属氧化物半导体(CMOS),能看到在FinFet中小延迟缺陷是如何影响电路的设计和性能将会是非常有意思的事情
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