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固态层覆盖掺杂物截面分析便携式显微镜
所属分类：显微镜百科 点击次数：159 发布日期：2022-06-20
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固态层覆盖掺杂物截面分析便携式显微镜 在扩散过程中，规则的晶格原子被热动力平衡过程中的掺杂原子所代替。这样对改变半导体的电子性能有作用。进行掺杂的两个最重要的方法是恒定表面浓度扩散和恒定总掺杂物扩散。 在“恒定的表面浓度的扩散”方式下，掺杂物由“不可耗尽的”气源供给，因此晶体外表面掺杂物的浓度，在整个扩散过程中保持恒定。在“恒定总掺杂物扩散”方式下，晶体表面开始由掺杂物的固态层所覆盖。可是掺杂物的供应是有限的，因为随着扩散的进行掺杂物最后会耗尽。 在“恒定表面浓度扩散”方式下，掺杂物原子由气相供应，晶体表面的掺杂物浓度可以调节，在给定温度下，特殊掺杂物的浓度与其在硅中的溶解度相对应。 (a)恒定表面浓度的扩散；(b)恒定总掺杂物的扩散；(c)离子注入 如果在硅片表面上掺杂层的厚度为dx，掺杂层的面积为A，由于总掺杂物浓度是恒定的，并且在给定时间单元内可以扩散入固相的粒子数目
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