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液体和气体杂质源几乎已完全取代了固体源
所属分类：显微镜百科 点击次数：254 发布日期：2022-06-20
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液体和气体杂质源几乎已完全取代了固体源用高温热氧化方法生长二氧化硅薄膜时，由于使用了很高的温度，致使硅样品特性发生变化，如硅一二氧化硅界面的杂质再分布、载流子寿命的改变等，这些都是与高温过程有关系。这是高温热氧化方法的不足之处。各种杂质的特殊解取决于杂质的扩散系数及其在半导体中的固溶度。固溶度限定了表面掺杂的极限，或是某种杂质对硅片掺杂的更高浓度，而扩散系数是指杂质扩散的速度。扩散速度较快的杂质可减少扩散时间，不过，集成电路制造过程要求多个扩散工序，因此最初的扩散工序必须用较慢的扩散杂质，以免这些杂质在以后操作中产生再分布。液体和气体杂质源几乎已完全取代了固体源，因为固态扩散的杂质浓度主要是取决于固体的温度，可控能力很差，杂质源温度的微小变化就会导致蒸汽压力的大幅度变化，从而使携带气体的杂质分量产生难以控制的变化。先进的扩散方法是使用全气体系统，这是控制携带气体中杂质浓度最有效的方法(特别是在低浓度值时)。
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