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氮化硅和一氧化硅掺杂技术种类分析显微镜
所属分类：显微镜百科 点击次数：232 发布日期：2022-06-20
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氮化硅和一氧化硅掺杂技术种类分析显微镜过去使用的掺杂技术种类繁多，如合金结和生长结。现在出现了新技术，如离子掺杂法。但是，几乎所有的半导体集成电路都使用扩散和外延生长。扩散可以在硅片的特定区域里掺杂，外延生长是在整个表面上均匀掺杂。 扩散方法之所以能在特定区域里进行掺杂，是由于二氧化硅能掩蔽某些杂质扩散。因此，利用二氧化硅的掩蔽作用，按照几何图形来控制杂质扩散。二氧化硅可以用热生长法将半导体硅片的表面转变成二氧化硅，也可以用淀积法在半导体硅片上淀积二氧化硅。其它材料，诸如氮化硅和一氧化硅，也可以用作扩散掩模。 通过含硅化合物诸如硅烷、四氯化硅和三氯硅烷的热分解作用，可在单晶硅片上淀积单晶硅，这就是大家所熟悉的外延生长。用外延生长方法，可以在单晶硅片上生长具有均匀电阻率的单晶层。氧化二氧化硅薄膜在半导体器件工艺中可以用作扩散掩模和扩散源，保护器件不受外界条件影响，以及实现器件的整个表面钝化。二氧化硅薄膜的制备方法有如下几种： 1．热氧化； 2．化学淀积； 3．电解氧化； 4．反应溅射。 在功能块的制造工艺中，普遍采用热氧化和化学淀积这两种方法来形成二氧化硅薄膜。
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