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利用扫描式电子显微镜(SEM)量测样品表面
所属分类：显微镜百科 点击次数：126 发布日期：2022-06-20
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利用扫描式电子显微镜(SEM)量测PMMA利用扫描式电子显微镜(SEM)量测PMMA 受EUV 光照射后的样品表面图貌，并观测到PMMA 随着曝光剂量的相变化，其相变化表面形貌的差异可能是因为释气物质无法释出所致，此一现象为剥蚀现象导致薄膜样品膜厚的变异典型的光阻涂布材料中分别为上层的光阻层及底部抗反射层(BARC,Bottom Anti-Reflection Coating)。在 DUV 的微影制程当中，底部抗反射层的主要功能是用来消除驻波效应(Standing Wave Effect)、薄膜干涉效应(Thin Film Interference Effect)及凹缺效应(Notching Effect)，以增进光阻成像能力。但因物质在EUV 光波段均具有强烈吸收的因素，意即光照射样品后因物质强烈吸收因素使得光的反射效应可忽略，底部抗反射层已不具原来的抗反射效应性质；故在EUV 区段中，涂布底部抗反射层其主要功能是增加光阻附着力、避免因底层下方污染扩散至光阻所产生的光阻毒化现象、增进平坦化之辅助成像功能，故在EUV 微影光阻底下辅助成像的材料又称为底层材料(UL, Underlayer material)
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