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AFM显微镜量测CD线宽量测技术简介
所属分类：显微镜百科 点击次数：385 发布日期：2022-06-20
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AFM显微镜量测CD线宽量测技术简介I.纳米绕射及散射线宽量测技术(1) AFM 量测 CD 线宽量测技术，建置前后倾斜所需调整机构，再以缝补技术补偿误差，发展 AFM 探针輪廓量测技术，补偿 AFM 探针輪廓外形误差，可与缝补技术补偿误差方法比对验证，以提高 AFM 量测 CD 线宽量测技术之精度。(2)光学式量测线宽，将购入调变式干涉显微镜，需了解其量测原理与光学结构，以做为评估量测误差分析之依据，了解光学量测方法之更佳能力与限制条件。II.阶高标準片(介于 1-100 μm)研制FY96 将进行开发半导体制程研制 50 nm~500 nm 阶高标準片，同时进行测试将FY95 完成之 1-100 μm 阶高标準，切割标準片，可降低成本外，整体尺寸与重量都能大幅降低，以线切割方式，将阶高标準片浸于冷却液，避免高温，加工屑料损伤镜面，加工完成后，再以超音波清洁油污与残屑。.Ⅲ 連续角度原级标準研制連续角度原级标準研制于 FY95 完成，后续将会应用此项成果于标準实验室之校正，应用小角度干射仪量校正自动视準仪。IV. 纳米微粒量测系统研制纳米粒径量测系统建置中的系统主要都是针对溼式聚苯乙烯的标準粉体，量测系统包括已完成的动态光散射仪、今年购入的电气迁移率法(DMA)、及 FY96 建置的的电重力平衡法(EAB)。产业的需求除聚苯乙烯标準粉体外，也希望能针对一般纳米粉体如TiO2、氧化锌、纳米金、及纳米银等，另外乾式粉体及纳米粉体的安全性也是未来的研究重点。V.纳米薄膜量测标準研制和 particles on waferFY96 之重点为增加纳米薄膜量测标準系统的能量。评估之重点为: X-ray wavelength之追溯、校正系统评估方法设计、薄膜介面粗度、等效薄膜等、量测软体之追溯等。顺利完成上述工作重点，建立光学式薄膜厚度量测系统，量测二氧化矽薄膜厚度 1.5 nm-200nm，更佳量测不确定度 0.4 nm+0.5%。就晶圆表面纳米微粒量测技术而言，量测的準确度决定于一是表面纳米微粒量测，另一是微粒粒径的校正与追溯。在 FY96，建立光学量测系统，测试系统之功能与能力，建立表面纳米微粒量测能力可达 1000 nm
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